Description

Device Layer

• Growth method :CZ/FZ
• Diameter :3’’/4’’/6’’/8’’
• Device Thickness : 5-300 µm
• Orientation : <100>, <111> & <110>
• Conductivity :P – type / N – type / intrinsic
• Resistivity : 001-10000 Ohm-cm
• Dopant : Boron / Phosphorous / Antimony / Arsenic
• Front Surface :Polished
• Surface Roughness : ≤ 0.4nm

Buried Oxide (BOX) Layer

• Oxide Thickness : 500 Å-6 µm
• Tolerance : +/-5%

Handle Substrate

• Growth method :CZ/FZ
• Diameter :3’’/4’’/6’’/8’’
• Orientation : <100>, <111> & <110>
• Conductivity :P – type / N – type / Intrinsic
• Resistivity : 001-10000 Ohm-cm
• Dopant : Boron / Phosphorous / Antimony / Arsenic
• Back Surface :Etched or Polished with/without oxide
• Handle wafer : >=300 µm